그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 120 Ω, R₂ = 20 Ω, R₄ = 600 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 120 ΩR2 = 20 ΩR4 = 600 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 12 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 250 ΩR2 = 40 ΩR3 = 40 ΩR4 = 1000 Ω
Is = mA
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 10 ΩR2 = 600 ΩR3 = 200 ΩR4 = 50 Ω
Rth = Ω
4.보통
네 변이 모두 100 Ω인 브리지에 10 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 283 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
Vs = 10 VR = 100 ΩVab = 283 mV
ΔR = Ω
5.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 1000 kg에서 1.5 mV/V입니다. 여기 전압은 5 V입니다. 하중 250 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
1.5 mV/VFrated = 1000 kgVs = 5 VF = 250 kg
Vo = mV
6.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 10 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 1000 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.05ε = 1000 µε
Vo = mV
정답표
- 1. R3 = 3600 Ω
- 2. Is = 52.92 mA
- 3. Rth = 49.84 Ω
- 4. ΔR = 12 Ω
- 5. Vo = 1.875 mV
- 6. Vo = 5.125 mV
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