그림의 브리지에서 Vs = 9 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 9 VR1 = 60 ΩR2 = 400 ΩR3 = 50 ΩR4 = 50 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 3 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 3 VR1 = 200 ΩR2 = 300 ΩR3 = 20 ΩR4 = 200 Ω
Vab = V
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 500 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 800 ΩR4 = 10 Ω
Rth = Ω
4.보통
350 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 350 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 6 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 6 VR = 350 Ω
Pg = mW
5.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.05)에 3 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 600 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 2.5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2.05εmax = 600 µεVFS = 2.5 V
G =
6.어려움
로드셀(스트레인 게이지의 풀 브리지)의 정격 출력은 정격 하중 50 kg에서 1 mV/V입니다. 여기 전압은 5 V입니다. 하중 40 kg에서의 출력 Vo을(를) 구하시오.
1 mV/VFrated = 50 kgVs = 5 VF = 40 kg
Vo = mV
정답표
- 1. Vab = 3.326 V
- 2. Vab = −0.9273 V
- 3. Rth = 343.2 Ω
- 4. Pg = 25.71 mW
- 5. G = 2710
- 6. Vo = 4 mV
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