정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

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1.쉬움
+−3 VR1​ = 80 ΩR2​ = 40 ΩR3​ = 400 ΩR4​ = ?abG0

그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 80 Ω, R₂ = 40 Ω, R₃ = 400 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.

R1 = 80 ΩR2 = 40 ΩR3 = 400 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
+−3 VR1​ = 150 ΩR2​ = 120 ΩR3​ = 150 ΩR4​ = 10 Ωab+−

그림의 브리지에 Vs = 3 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 3 VR1 = 150 ΩR2 = 120 ΩR3 = 150 ΩR4 = 10 Ω
Is = mA
3.보통
+−9 VR1​ = 800 ΩR2​ = 100 ΩR3​ = 400 ΩR4​ = 120 ΩabGRg​ = 100 Ω

저항 100 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 9 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.

Vs = 9 VR1 = 800 ΩR2 = 100 ΩR3 = 400 ΩR4 = 120 ΩRg = 100 Ω
Ig = µA
4.보통
+−10 V400 Ω400 Ω400 Ω400 Ωab+−

400 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 400 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 10 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.

Vs = 10 VR = 400 Ω
Pg = mW
5.어려움
+−5 V1000 Ω − ΔR1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−Vo​ = ?

네 변이 1000 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 인접한 변에 능동 게이지 둘, 하나는 인장·하나는 압축(1/2 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 400 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.

Vs = 5 VGF = 2.1ε = 400 µε
Vo = mV
6.어려움
+−3 V1000 Ω1000 Ω + ΔR1000 Ω1000 Ωab+−0.375 mV

E = 200 GPa인 부재에 붙인 스트레인 게이지(GF = 2)가 3 V로 여기되는 1/4 브리지를 이룹니다. 출력은 0.375 mV로 읽힙니다. 축 방향 응력 σ을(를) MPa 단위로 구하시오.

Vs = 3 VGF = 2Vo = 0.375 mVE = 200 GPa
σ = MPa

정답표

  1. 1. R4 = 200 Ω
  2. 2. Is = 29.86 mA
  3. 3. Ig = −3830 µA
  4. 4. Pg = 62.5 mW
  5. 5. Vo = 2.1 mV
  6. 6. σ = 50 MPa

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