그림의 브리지에서 Vs = 6 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 6 VR1 = 10 ΩR2 = 20 ΩR3 = 250 ΩR4 = 80 Ω
Vab = V
2.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 5 V, R₁ = 400 Ω, R₂ = 600 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
Vs = 5 VR1 = 400 ΩR2 = 600 ΩR3 = 400 ΩR4 = 50 Ω
Va = V
3.보통
브리지의 네 변이 모두 300 Ω이고 Vs = 6 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 45 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 6 VR = 300 ΩΔR = 45 Ω
Vab = mV
4.보통
150 Ω 스트레인 게이지가 네 변이 150 Ω으로 같은 브리지의 한 변(R₂)이며 여기 전압은 2 V입니다. 게이지에서 소비되는 전력 Pg을(를) mW 단위로 구하시오. 자기 발열이 여기 전압을 제한합니다.
Vs = 2 VR = 150 Ω
Pg = mW
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.05이고 변형률은 750 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.05ε = 750 µε
Vo = mV
6.어려움
1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.1)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 1000 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.
Vs = 10 VGF = 2.1εmax = 1000 µεVFS = 5 V
G =
정답표
- 1. Vab = 2.545 V
- 2. Va = 3 V
- 3. Vab = 209.3 mV
- 4. Pg = 6.667 mW
- 5. Vo = 7.688 mV
- 6. G = 952.4
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