정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지

무료 인쇄용 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지: 쉬운 문제부터 시험 수준까지 6문제, 정답표 포함. 인쇄하거나 PDF로 저장하세요.

새 학습지힌트와 함께 온라인으로 연습하기

교수자 안내: 수업에서 무료로 인쇄, 복사, 사용할 수 있습니다. 새 워크시트마다 값이 새로 바뀌고 별도의 정답이 함께 제공됩니다. 강의 페이지에 ExamProblems 링크를 걸어 주시면 감사하겠습니다.

이름: ____________________   날짜: ____________

1.쉬움
+−12 VR1​ = 150 ΩR2​ = 500 ΩR3​ = ?R4​ = 200 ΩabG0

그림의 휘트스톤 브리지를 R₃를 조정하여 평형시킵니다. R₁ = 150 Ω, R₂ = 500 Ω, R₄ = 200 Ω입니다. 설정값 R3을(를) 구하시오.

R1 = 150 ΩR2 = 500 ΩR4 = 200 Ω
R3 = Ω
2.쉬움
+−9 VR1​ = 150 ΩR2​ = 150 ΩR3​ = 10 ΩR4​ = 120 Ωab+−

그림의 브리지에 Vs = 9 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.

Vs = 9 VR1 = 150 ΩR2 = 150 ΩR3 = 10 ΩR4 = 120 Ω
Is = mA
3.보통
+−12 V100 Ω100 Ω + ΔR100 Ω100 Ωab+−339.6 mV

네 변이 모두 100 Ω인 브리지에 12 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 339.6 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.

Vs = 12 VR = 100 ΩVab = 339.6 mV
ΔR = Ω
4.보통
+−9 VR1​ = 20 ΩR2​ = 500 ΩR3​ = 100 ΩR4​ = 250 Ωab+−Rth​ = ?

그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.

Vs = 9 VR1 = 20 ΩR2 = 500 ΩR3 = 100 ΩR4 = 250 Ω
Rth = Ω
5.어려움
+−V120 Ω120 Ω + ΔR120 Ω120 Ωab+−

게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.192 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.

R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.192 Ω
ε = µε
6.어려움
+−10 V350 Ω350 Ω + ΔR350 Ω350 Ωab+−Vo​

1/4 브리지(능동 게이지 하나, GF = 2.1)에 10 V를 여기합니다. 측정해야 할 최대 변형률은 800 µε이며, 이것이 아날로그-디지털 변환기의 입력에서 5 V가 되어야 합니다. 증폭기 이득 G을(를) 구하시오.

Vs = 10 VGF = 2.1εmax = 800 µεVFS = 5 V
G =

정답표

  1. 1. R3 = 60 Ω
  2. 2. Is = 99.23 mA
  3. 3. ΔR = 12 Ω
  4. 4. Rth = 90.66 Ω
  5. 5. ε = 800 µε
  6. 6. G = 1190

자세한 단계별 풀이: examproblems.com에서 이 주제를 연습하세요.