그림의 브리지에서 Vs = 3 V, R₁ = 800 Ω, R₂ = 500 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR1 = 800 ΩR2 = 500 ΩR3 = 80 ΩR4 = 400 Ω
Va = V
2.쉬움
그림의 브리지에 Vs = 9 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
Vs = 9 VR1 = 400 ΩR2 = 120 ΩR3 = 20 ΩR4 = 60 Ω
Is = mA
3.보통
브리지의 네 변이 모두 200 Ω이고 Vs = 12 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 16 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 12 VR = 200 ΩΔR = 16 Ω
Vab = mV
4.보통
브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 10 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 80 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 10 VR = 1000 ΩΔR = 80 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 2.5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 1500 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 2.5 VGF = 2.1ε = 1500 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.24 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.24 Ω
ε = µε
정답표
- 1. Va = 1.154 V
- 2. Is = 129.8 mA
- 3. Vab = 230.8 mV
- 4. Vab = 192.3 mV
- 5. Vo = 7.875 mV
- 6. ε = 1000 µε
자세한 단계별 풀이: examproblems.com에서 이 주제를 연습하세요.