1.쉬움
그림의 브리지에서 Vs = 9 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
Vs = 9 VR1 = 300 ΩR2 = 60 ΩR3 = 120 ΩR4 = 200 Ω
Vab = V
그림의 브리지에서 Vs = 9 V일 때 개방 출력 전압 Vab = Va − Vb을(를) 구하시오.
그림의 브리지에서 Vs = 12 V, R₁ = 1000 Ω, R₂ = 80 Ω입니다. 음(−) 전원 레일에 대한 노드 a의 전압 Va을(를) 구하시오.
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
네 변이 모두 470 Ω인 브리지에 3 V를 공급합니다. 센서 R₂가 변하면 출력이 Vab = 84.91 mV로 읽힙니다. R₂의 정확한 변화량 ΔR을(를) 구하시오.
능동 게이지 하나(GF = 2.12)인 1/4 브리지에 2.5 V를 여기합니다. 하중을 받으면 출력이 0.663 mV로 읽힙니다. 변형률 ε을(를) µε 단위로 구하시오.
게이지율 2인 350 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.525 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
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