그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 20 Ω, R₂ = 250 Ω, R₃ = 40 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
R1 = 20 ΩR2 = 250 ΩR3 = 40 Ω
R4 = Ω
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 500 Ω, R₂ = 150 Ω, R₃ = 10 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 500 ΩR2 = 150 ΩR3 = 10 Ω
R4 = Ω
3.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 12 VR1 = 250 ΩR2 = 40 ΩR3 = 100 ΩR4 = 600 Ω
Rth = Ω
4.보통
브리지의 네 변이 모두 1000 Ω이고 Vs = 15 V입니다. 센서 R₂가 ΔR = 200 Ω만큼 증가합니다. 정확한 출력 Vab을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 15 VR = 1000 ΩΔR = 200 Ω
Vab = mV
5.어려움
네 변이 350 Ω인 브리지에 3 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 하나(1/4 브리지). 게이지율은 2이고 변형률은 400 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 3 VGF = 2ε = 400 µε
Vo = mV
6.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.048 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.048 Ω
ε = µε
정답표
- 1. R4 = 500 Ω
- 2. R4 = 3 Ω
- 3. Rth = 120.2 Ω
- 4. Vab = 681.8 mV
- 5. Vo = 0.6 mV
- 6. ε = 200 µε
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