그림의 브리지에 Vs = 3 V를 공급하고 출력은 개방되어 있습니다. 전원에서 흐르는 전류 Is을(를) mA 단위로 구하시오.
정답이 있는 휘트스톤 브리지와 스트레인 게이지 학습지
1.쉬움
Vs = 3 VR1 = 20 ΩR2 = 1000 ΩR3 = 400 ΩR4 = 50 Ω
Is = mA
2.쉬움
그림의 휘트스톤 브리지가 평형입니다. 검류계는 0을 가리킵니다. R₁ = 50 Ω, R₂ = 250 Ω, R₃ = 400 Ω입니다. 미지 저항 R4을(를) 구하시오.
R1 = 50 ΩR2 = 250 ΩR3 = 400 Ω
R4 = Ω
3.보통
저항 200 Ω의 검류계가 그림의 브리지(Vs = 2 V)의 a와 b 사이에 연결되어 있습니다. a에서 b로 흐르는 검류계 전류 Ig을(를) µA 단위로 구하시오.
Vs = 2 VR1 = 80 ΩR2 = 150 ΩR3 = 150 ΩR4 = 400 ΩRg = 200 Ω
Ig = µA
4.보통
그림의 브리지를 출력 단자 a와 b에서 본 테브난 저항 Rth을(를) 구하시오.
Vs = 15 VR1 = 150 ΩR2 = 50 ΩR3 = 60 ΩR4 = 10 Ω
Rth = Ω
5.어려움
게이지율 2인 120 Ω 스트레인 게이지가 강철 막대에 부착되어 있습니다. 하중을 받으면 저항이 0.192 Ω 증가합니다. 변형률 ε을(를) 마이크로 스트레인(µε) 단위로 구하시오.
R = 120 ΩGF = 2ΔR = 0.192 Ω
ε = µε
6.어려움
네 변이 120 Ω인 브리지에 5 V를 여기하며 구성은 다음과 같습니다: 능동 게이지 넷, 둘은 인장·둘은 압축(풀 브리지). 게이지율은 2.1이고 변형률은 250 µε입니다. 브리지 출력 Vo을(를) mV 단위로 구하시오.
Vs = 5 VGF = 2.1ε = 250 µε
Vo = mV
정답표
- 1. Is = 9.608 mA
- 2. R4 = 2000 Ω
- 3. Ig = −415.8 µA
- 4. Rth = 46.07 Ω
- 5. ε = 800 µε
- 6. Vo = 2.625 mV
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