Источник постоянного напряжения 9 V пропускает ток через резистор 3,3 kΩ, последовательно соединённый с кремниевым диодом, смещённым в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Источник постоянного напряжения 15 V пропускает ток через резистор 330 Ω, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
NPN-транзистор с β = 75 смещён резистором базы RB = 150 kΩ от источника питания VCC = 9 V. Резистор коллектора RC = 470 Ω, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 18 V: R₁ = 68 kΩ от VCC к базе и R₂ = 8,2 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 4,7 kΩ, резистор эмиттера RE = 470 Ω. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите ток коллектора IC в mA.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 330 Ω, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 3,3 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите наибольшее сопротивление резистора базы RB, в kΩ, при котором транзистор ещё входит в насыщение.
NPN-транзистор с β = 150 коммутирует нагрузочный резистор 680 Ω, включённый между VCC = 9 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB = 1 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Найдите ток коллектора IC в mA при высоком уровне на входе. Сначала определите, насыщен ли транзистор.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.