Источник постоянного напряжения 15 V пропускает ток через резистор 4,7 kΩ, последовательно соединённый с двумя кремниевыми диодами, смещёнными в прямом направлении. Используйте модель с постоянным падением 0,7 V на каждом открытом диоде. Найдите ток I в mA.
Светодиод (белый) с прямым напряжением 3 V питается от источника 9 V через последовательный резистор. Найдите сопротивление R, при котором ток светодиода равен 20 mA.
NPN-транзистор с β = 120 смещён делителем напряжения от VCC = 20 V: R₁ = 82 kΩ от VCC к базе и R₂ = 10 kΩ от базы к земле. Резистор коллектора RC = 2,2 kΩ, резистор эмиттера RE = 1,5 kΩ. Примите VBE = 0,7 V и используйте эквивалент Тевенена для делителя (ток базы не пренебрегайте). Найдите напряжение коллектор–эмиттер VCE.
NPN-транзистор с β = 200 смещён резистором базы RB = 390 kΩ от источника питания VCC = 9 V. Резистор коллектора RC = 1,5 kΩ, эмиттер заземлён. Примите VBE = 0,7 V и считайте, что транзистор работает в активном режиме. Найдите ток коллектора IC в mA.
Диод моделируется напряжением 0,65 V последовательно с 10 Ω (он проводит выше 0,65 V). Он включён последовательно с резистором 470 Ω к источнику 5 V. Найдите рабочий ток ID в точке пересечения характеристики диода и нагрузочной прямой.
NPN-транзистор с β = 80 коммутирует нагрузочный резистор 1 kΩ, включённый между VCC = 5 V и его коллектором. Эмиттер заземлён. База управляется от логического выхода 5 V через резистор базы RB. Примите VBE = 0,7 V и VCE(sat) = 0,2 V. Для надёжного переключения рассчитайте ток базы в 2 раз больше минимального, нужного для насыщения. Найдите RB в kΩ.
Полные пошаговые решения: занимайтесь этой темой на examproblems.com.